Reballage automatique des circuits intégrés BGA

Machine de reballage optique automatique BGA IC 

1.Application de la machine de reballage optique automatique BGA IC

Fonctionne avec toutes sortes de cartes mères ou PCBA.

Souder, reballer, dessouder différents types de puces : BGA,PGA,POP,BQFP,QFN,SOT223,PLCC,TQFP,TDFN,TSOP,

PBGA, CPGA, puce LED.

 

2. Caractéristiques du produitOptique automatiqueMachine de reballage BGA IC

 

3.Spécification deMachine de reballage optique automatique BGA IC

4.Détails deMachine de reballage optique automatique BGA IC

 

5.Pourquoi choisir notreMachine de reballage optique automatique BGA IC? 

 

6.Certificat deMachine de reballage optique automatique BGA IC

Certificats UL, E-MARK, CCC, FCC, CE ROHS. Parallèlement, pour améliorer et perfectionner le système qualité,

Dinghua a passé la certification d'audit sur site ISO, GMP, FCCA, C-TPAT.

 

7. Emballage et expédition deMachine de reballage optique automatique BGA IC

 

 

8. Expédition pourMachine de reballage optique automatique BGA IC

DHL/TNT/FEDEX. Si vous souhaitez d'autres conditions d'expédition, veuillez nous le dire. Nous vous soutiendrons.

 

9. Conditions de paiement

Virement bancaire, Western Union, carte de crédit.

Veuillez nous dire si vous avez besoin d'une autre assistance.

 

10. Comment fonctionne la machine de reballage automatique BGA IC DH-A2 ?

 

 

 

11. Connaissances connexes

À propos de la puce flash

Déterminants de la puce Flash

Nombre de pages

Comme mentionné précédemment, plus la page du flash de grande capacité est grande, plus la page est grande, plus le temps d'adressage est long.

Mais l’allongement de ce temps n’est pas une relation linéaire, mais une étape par étape. Par exemple, une puce de 128, 256 Mo nécessite 3

cycles pour transmettre un signal d'adresse, 512 Mo, 1 Go nécessite 4 cycles et 2, 4 Go nécessite 5 cycles.

Capacité des pages

La capacité de chaque page détermine la quantité de données pouvant être transférées à la fois, donc une page de grande capacité a

de meilleures performances. Comme mentionné précédemment, la mémoire flash de grande capacité (4 Go) augmente la capacité des pages de 512 octets à 2 Ko.

L'augmentation de la capacité des pages facilite non seulement l'augmentation de la capacité, mais améliore également les performances de transmission.

Nous pouvons donner un exemple. Prenons comme exemples les Samsung K9K1G08U0M et K9K4G08U0M. Le premier est de 1 Go, 512- capacité de page en octets,

le temps de lecture aléatoire (stable) est de 12 μs, le temps d'écriture est de 200 μs ; ce dernier est de 4 Go, capacité de page de 2 Ko, temps de lecture aléatoire (stabilité) de 25 μs, écriture

temps C'est 300μs. Supposons qu'ils fonctionnent à 20 MHz.

Performances de lecture : les étapes de lecture de la mémoire flash NAND sont divisées en : envoyer des informations de commande et d'adressage → transférer

données vers le registre de page (temps stable de lecture aléatoire) → transfert de données (8 bits par cycle, besoin de transmettre 512+16 ou 2K+ 64 fois).

K9K1G08U0M lire une page a besoin de : 5 commandes, cycle d'adressage × 50ns + 12μs + (512 + 16) ​​× 50ns=38,7μs ; K9K1G08U0M réel

taux de transfert de lecture : 512 octets ÷ 38,7 μs=13,2 Mo/s ; K9K4G08U0M lire une page Nécessite : 6 commandes, période d'adressage × 50ns +

25 μs + (2K + 64) × 50ns=131,1 μs ; Taux de transfert de lecture réel K9K4G08U0M : 2 Ko octets ÷ 131,1 μs=15,6 Mo/s. Par conséquent, en utilisant un

La capacité de page de 2 Ko à 512 octets augmente également les performances de lecture d'environ 20 %.

Performances d'écriture : les étapes d'écriture de la mémoire flash NAND sont divisées en : envoi d'informations d'adressage → transfert de données

au registre de page → envoi d'informations de commande → les données sont écrites du registre vers la page. Le cycle de commandement en est également un.

Nous allons le fusionner avec le cycle d'adressage ci-dessous, mais les deux parties ne sont pas continues.

K9K1G08U0M écrit une page : 5 commandes, période d'adressage × 50ns + (512 + 16) × 50ns + 200μs=226,7μs. K9K1G08U0M réel

taux de transfert d'écriture : 512 octets ÷ 226,7 μs=2,2 Mo/s. K9K4G08U0M écrit une page : 6 commandes, période d'adressage × 50ns + (2K + 64)

× 50ns + 300μs=405,9 μs. Taux de transfert d'écriture réel K9K4G08U0M : 2 112 octets / 405,9 μs=5 Mo/s. Par conséquent, en utilisant une capacité de page de 2 Ko

augmente les performances d'écriture de plus de deux fois la capacité de la page 512-octets.

Capacité de bloc

Le bloc est l'unité de base de l'opération d'effacement. Puisque le temps d'effacement de chaque bloc est presque le même (l'opération d'effacement prend généralement

2 ms, et le temps occupé par les informations de commande et d'adresse de plusieurs cycles précédents est négligeable), la capacité du bloc sera

être directement déterminé. Effacer les performances. La capacité de pages de la mémoire flash de type NAND de grande capacité est augmentée et le nombre

de pages par bloc est également amélioré. Généralement, la capacité de bloc de la puce de 4 Go est de 2 Ko × 64 pages=128 Ko, et la puce de 1 Go est de 512 octets.

× 32 pages=16 Ko. On constate que dans le même temps, la vitesse de frottement du premier est 8 fois supérieure à celle du second !

Largeur de bits d'E/S

Dans le passé, les lignes de données des mémoires flash de type NAND étaient généralement au nombre de huit, mais pour les produits de 256 Mo, il y avait 16 lignes de données. Cependant,

en raison des contrôleurs et d'autres raisons, l'application réelle des puces x16 est relativement faible, mais leur nombre continuera d'augmenter à l'avenir

. Bien que la puce x16 utilise toujours 8-groupes de bits lors de la transmission des données et des informations d'adresse, le cycle reste inchangé, mais les données sont transmises

en {{0}}groupes de bits et la bande passante est doublée. Le K9K4G16U0M est une puce typique de 64M×16, qui fait toujours 2 Ko par page, mais la structure est (1K+32)×16 bits.

Imitez les calculs ci-dessus, nous obtenons ce qui suit. K9K4G16U0M doit lire une page : 6 commandes, période d'adressage × 50ns + 25μs +

(1K + 32) × 50ns=78,1 μs. K9K4G16U0M taux de transfert de lecture réel : 2 Ko octets ÷ 78,1 μs=26,2 Mo/s. K9K4G16U0M écrit une page : 6 commandes,

période d'adressage × 50ns + (1K + 32) × 50ns + 300μs=353,1μs. Taux de transfert d'écriture réel K9K4G16U0M : 2 Ko octets ÷ 353,1 μs=5,8 Mo/s

On peut voir qu'avec la même capacité de la puce, une fois la ligne de données augmentée à 16 lignes, les performances de lecture sont améliorées de près de 70 %,

et les performances d'écriture sont également améliorées de 16 %.

Fréquence. L'impact de la fréquence de travail est facile à comprendre. La fréquence de fonctionnement de la mémoire flash NAND est de 20 à 33 MHz, et plus

plus la fréquence est élevée, meilleures sont les performances. Dans le cas de K9K4G08U0M, nous supposons que la fréquence est de 20 MHz. Si on double la fréquence à 40 MHz,

alors K9K4G08U0M doit lire une page : 6 commandes, période d'adressage × 25ns + 25μs + (2K + 64) × 25ns=78μs . K9K4G08U0M taux de transfert de lecture réel :

2 Ko octets ÷78μs=26,3 Mo/s. On peut voir que si la fréquence de fonctionnement du K9K4G08U0M passe de 20 MHz à 40 MHz, les performances de lecture peuvent

être amélioré de près de 70 % ! Bien entendu, l’exemple ci-dessus est uniquement destiné à des fins de commodité. Dans la gamme actuelle de produits Samsung, le K9XXG08UXM, plutôt que le K9XXG08U0M,

peut fonctionner à des fréquences plus élevées. Le premier peut atteindre 33 MHz.